納米顆粒跟蹤分析儀是一種基于納米顆粒跟蹤分析（NTA）技術(shù)的物理性能測試儀器，在科研和工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。該儀器通過激光照射含有納米顆粒的樣品池，顆粒散射的光被顯微鏡捕捉并由相機(jī)記錄，形成顆粒運(yùn)動(dòng)的視頻。專用軟件逐幀分析視頻，自動(dòng)識別并跟蹤每個(gè)顆粒的移動(dòng)路徑，計(jì)算其擴(kuò)散系數(shù)，再通過斯托克斯-愛因斯坦方程推算粒徑。其核心光學(xué)系統(tǒng)包含激光散射視頻顯微鏡和高靈敏度CMOS傳感器，支持10-2000nm粒徑檢測范圍，具備熒光檢測功能，可支持430/565/650nm多波長檢測，能識別熒光標(biāo)記顆粒，還集成共定位分析功能。

　　納米顆粒跟蹤分析儀的使用對環(huán)境有嚴(yán)格要求，以確保測量的準(zhǔn)確性、儀器穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)可靠性。以下是其主要環(huán)境要求：

　　一、溫度與濕度控制

　　溫度要求

　　范圍：通常需保持在20–25℃（部分儀器可適應(yīng)更寬范圍，如15–30℃）。

　　穩(wěn)定性：短時(shí)間內(nèi)波動(dòng)應(yīng)小于±1℃，避免因熱脹冷縮導(dǎo)致流體折射率變化或樣品性質(zhì)改變。

　　原因：溫度波動(dòng)可能影響激光散射角度、流體黏度及布朗運(yùn)動(dòng)速率，導(dǎo)致粒徑計(jì)算誤差14。

　　濕度要求

　　范圍：建議濕度控制在30%-70%RH（相對濕度）。

　　高濕度風(fēng)險(xiǎn)：可能導(dǎo)致光學(xué)元件結(jié)露、樣品吸濕團(tuán)聚或微生物污染；低濕度則可能引起靜電干擾35。

　　二、潔凈度要求

　　無塵環(huán)境

　　顆粒污染控制：實(shí)驗(yàn)室需達(dá)到ISO 5級及以上（相當(dāng)于每立方米≤3,520個(gè)≥0.5μm的顆粒），避免外部顆粒干擾測量14。

　　清潔措施：定期使用無塵布和專用溶劑清潔儀器表面、樣品池及流動(dòng)池，防止殘留顆粒影響結(jié)果35。

　　防震與防振動(dòng)

　　振動(dòng)源隔離：儀器需放置在穩(wěn)定臺面上，遠(yuǎn)離大型設(shè)備（如離心機(jī)、空壓機(jī)）或交通區(qū)域，避免振動(dòng)導(dǎo)致光路偏移或布朗運(yùn)動(dòng)軌跡異常24。

　　地基要求：部分高精度儀器需配備隔振墊或防震臺，減少環(huán)境振動(dòng)干擾5。

　　三、光照與電磁干擾

　　光照條件

　　避光操作：避免強(qiáng)光直射儀器，尤其是激光光源附近，防止雜散光干擾散射信號24。

　　背景光控制：實(shí)驗(yàn)室燈光需柔和且均勻，避免在樣品中產(chǎn)生陰影或反射眩光。

　　電磁兼容性

　　遠(yuǎn)離電磁設(shè)備：需遠(yuǎn)離高頻發(fā)射源（如微波爐、手機(jī)基站）或強(qiáng)磁場設(shè)備，防止電磁干擾影響電子元件或數(shù)據(jù)采集35。

　　接地保護(hù)：儀器需可靠接地，避免靜電積累或電壓波動(dòng)導(dǎo)致故障。