馬爾文帕納科亞太卓越應用中心X'Pert³ MRD XL高分辨衍射儀參與此次檢測驗證并與國內知名檢測機構聯合發布了檢測結果。

本次測試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點共計5個，XRD搖擺曲線半高寬測試結果：22~26 arcsec。

圖18英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬第三方測試結果-（深圳平湖實驗室）

本次測試樣品為氧化鎵8英寸襯底，取點共計5個，XRD搖擺曲線半高寬測試結果分別為：16.7 arcsec、16.2 arcsec、15.4 arcsec、15.3 arcsec、12.4 arcsec。

圖2 8英寸襯底XRD搖擺曲線半高寬第三方測試結果-（馬爾文帕納科亞太卓越應用中心）

圖3 馬爾文帕納科X'Pert³ MRD XL高分辨X射線衍射儀

此次聯合發布的質量檢測結果證明，鎵仁半導體8英寸晶圓襯底質量能夠滿足硅基8英寸產線生產要求，這將大幅降低下游應用端研發的難度與成本，促進產業化應用的快速落地。目前，鎵仁半導體氧化鎵襯底已逐步實現產業化，將陸續為下游客戶提供大尺寸高質量的氧化鎵單晶襯底產品。

作為襯底研發生產關鍵檢測設備之一的高分辨X射線衍射儀在半導體行業的成功案例遠不止此，在中國12英寸SiC襯底的首發和后續生產商的工藝流程中，也同樣有X'Pert³ MRD高分辨衍射儀和Omega/Theta單晶定向儀的身影。

無論是用于生長研究還是設備設計，馬爾文帕納科XRD技術對結構層質量、厚度、應力和合金組分進行測量的過程已成為電子和光電子多層半導體的研發核心所在。未來，馬爾文帕納科仍將在促進新型半導體材料研發、提升行業生產效率、提高產品質量和可靠性、推動工藝創新等方面，持續提供可靠的檢測技術，為推動中國半導體行業的發展貢獻馬爾文帕納科的力量。